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TNY263-268 NOTES: A. Tota.. 翻译

原文（英语）：

TNY263-268 NOTES: A. Total current consumption is the sum of IS1 and IDSS when EN/UV pin is shorted to ground (MOSFET not switching) and the sum of IS2 and IDSS when EN/UV pin is open (MOSFET switching). B Since the output MOSFET is switching, it is difficult to isolate the switching current from the supply current at the DRAIN. An alternative is to measure the BYPASS pin current at 6.1 V. C. BYPASS pin is not intended for sourcing supply current to external circuitry. D. See Typical Performance Characteristics section for BYPASS pin start-up charging waveform. E. For current limit at other di/dt values 更多：https://www.bmcx.com/ , refer to Figure 25. F. This parameter is derived from characterization. G. This parameter is derived from the change in current limit measured at 1X and 4X of the di/dt shown in the ILIMIT specification. H. Breakdown voltage may be checked against minimum BVDSS specification by ramping the DRAIN pin voltage upto but not exceeding minimum BVDSS. I. Auto-restart on time has the same temperature characteristics as the oscillator (inversely proportional tofrequency). 16 G 4/05 TNY263-268 470 . 5 W S2 0.1 μF470 . DEN/UVBPSSSSS1 . 10 V50 V150 V2 M NOTE: This test circuit is not applicable for current limit or output characteristic measurements. PI-2686-101700 Figure 18. TinySwitch-II General Test Circuit. PI-2364-012699EN/UVtPtEN/UVDCMAXtP = 1fOSCVDRAIN(internal signal) Figure 19. TinySwitch-II Duty Cycle Measurement. Figure 20. TinySwitch-II Output Enable Timing. 0.8 Figure 21. Current Limit Envelope. G 4/05 17 TNY263-268 Typical Performance Characteristics 1.2 1.1 PI-2213-012301 Output Frequency (Normalized to 25 °C) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 PI-2680-012301 Breakdown Voltage (Normalized to 25 °C) 1.0 0.9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 Junction Temperature (°C) Junction Temperature (°C) Figure 22. Breakdown vs. Temperature. Figure 23. Frequency vs. Temperature. 1.2 1 PI-2714-040704 Normalized Current Limit 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 Normalized NormalizedCurrent di/dt = 1 Limit = 1 TNY263 42 mA/μs 210 mA TNY264 50 mA/μs 250 mA TNY265 55 mA/μs 275 mA TNY266 70 mA/μs 350 mA TNY267 90 mA/μs 450 mA TNY268 110 mA/μs 550 mA TNY263 TNY264-2TNY267 TNY268 66 PI-2697-033104 (Normalized to 25 °C) Current Limit 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 -500 50100150 1 2 3 4 Temperature (°C) Normalized di/dt Figure 24. Current Limit vs. Temperature. Figure 25. Current Limit vs. di/dt. 7 6 300 TCASE = 25 °CTCASE = 100 °CTNY263 0.85TNY264 1.0TNY265 1.5TNY266 2.0TNY267 3.5TNY268 5.5Scaling Factors: PI-2221-032504 50 0 0 0 0.20.40.6 0.81.00 2 4 6 8 10 Time (ms) Drain Voltage (V) Figure 26. BYPASS Pin Start-up Waveform. Figure 27. Output Characteristic. PI-2240-012301 250 BYPASS Pin Voltage (V) Drain Current (mA) 5 200 4 150 3 2 100 1 18 G 4/05

翻译结果（简体中文）1：

tny263-268 注释：。总电流消耗是IS1与IDSS的总和，当EN / UV引脚接地短路（MOSFET不开关）和IS2和IDSS当EN / UV引脚是开放的（MOSFET开关）的总和。 B由于输出MOSFET开关，它是很难在隔离的开关电流从电源电流漏。另一种方法是测量旁路引脚电流。1五。 C。旁路引脚不用于采购外部电路的电源电流。 D。旁路引脚充电波形启动典型性能特性部分。 E。在其他的di / dt值的电流限制更多：https://www.bmcx.com/ ，请参阅图25。 F。此参数来自表征。 G。此参数来自电流限制在1X和4X的di / dt ILIMIT所示测量的变化规范。 H。击穿电压可通过抬高漏极引脚电压高达，但不超过最小BVDSS核对最小BVDSS规范。我自动重新启动时，有相同的温度特性为振荡器（成反比tofrequency）的。 16 G 4/05年度 tny263-268 470。 5瓦特S2 0.1μf470的。 den/uvbpsssss1 。 10 V50 V150 V2米注：此测试电路是不是适用于电流限制或输出特性的测量。 PI-2686-101700 图18。一般的TinySwitch-II的测试电路。 pi-2364-012699en/uvtpten/uvdcmaxtp = 1foscvdrain（内部信号）图19。的TinySwitch-II的占空比测量。图20。的TinySwitch-II输出启用的时间。 0.8 图21。电流限制信封。 G 4/05年度 17 tny263-268 典型的性能特点 1.2 1.1 PI-2213-012301 输出频率（归到25°C） 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 PI-2680-012301 击穿电压（归到25°C） 1.0 0。9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 结点温度（°C）交界处的温度（°C）图22。故障与温度。图23。频率与温度的关系。 1.2 1 PI-2714-040704 归电流限制 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0。2 归 normalizedcurrent 的di / dt = 1上限= 1 tny263 42毫安/微秒210毫安 tny264 50毫安/微秒250毫安 tny265 55毫安/微秒275毫安 tny266 70毫安/微秒350毫安 tny267 90毫安/微秒450毫安 tny268 110毫安/微秒550毫安 tny263 tny264-2tny267 tny268 66 PI-2697-033104 （归到25°C）电流限制 0.8 0.6 0.4 0。2 0 0 -500 50100150 1 2 3 4 温度（°C）正常化的di / dt的图24。电流限制与温度。图25。电流限制的di / dt。 7 6 300 TCASE = 25°ctcase = 100°ctny263 0.85tny264 1.0tny265 1.5tny266 2.0tny267 3.5tny268 5.5scaling因素： PI-2221-032504 50 0 0 0 0.20.40.6 0.81.00 2 4 6 8 10 时间（ms）漏极电压（V）图26。旁路引脚启动了波形。图27。输出特性。 PI-2240-012301 250 旁路引脚电压（V）漏电流（mA） 5 200 4 150 3 2 100 1 18 G 4/05年度

翻译结果（简体中文）2：

TNY263-268 备注： A.总电流消耗也是 1 和智能决策支持系统的总和 EN/UV 销到地面短路时 (MOSFET 不开关）和 IS2 和智能决策支持系统打开 EN/UV 针时的总和（MOSFET 切换）。 B 由于 MOSFET 开关的输出，它很难隔离开关电流从当前在供应排水渠。一种替代方法是测量当前在 6 点钟的旁路针。1 V。 C.旁路针不适用于采购供应到外部电路的电流。 D.请参阅典型性能特性节以绕过针启动充电波形。 E.在其他 di/dt 值的当前限制更多：https://www.bmcx.com/ ，请参阅图 25。 F.此参数被从表征。 G.此参数从 1 在测量的电流限制更改 X 和 4 ILIMIT 所示诊断树迪 X 规范。 H.击穿电压可能会核对的斜向外流 pin 电压向上，但不是超过最低 BVDSS 的 BVDSS 的最低规格。在时间上 I.自动重启了振荡器 (成反比 tofrequency）相同的温度特性。 16 G 4/05 TNY263 268 470。 5 W S2 0.1 ΜF470。 DEN UVBPSSSSS1 . 10 V50 V150 V2 M 注：此测试电路是不适用的电流限制或输出特性测量的。图 18 PI-2686年-101700 。TinySwitch-Ⅱ 通用测试电路。 PI-2364年-012699EN/UVtPtEN/UVDCMAXtP = 1fOSCVDRAIN(internal signal) 图 19。TinySwitch-Ⅱ 责任周期测量。图 20。TinySwitch-Ⅱ 输出启用时间。 0.8 图 21。当前限制信封。 G 4/05 17 TNY263 268 典型性能特性 1.2 1.1 PI-2213年-012301 输出频率（规范化为 25 ° C) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 PI-(02) 8667年-012301 击穿电压（规范化为 25 ° C） 1.0 0。9 -50-25 0 25 50 75 100 125 150-50-25 0 25 50 75 100 125 交界处温度 (° C) 交界处温度 (° C) 图 22。故障与温度。图 23。频率与温度。 1.2 1 PI-2714年-040704 归一化电流限制 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0。2 规范化 NormalizedCurrent di/dt = 1 限制 = 1 TNY263 42 马/残 210 马 TNY264 50 马/残 250 马 TNY265 55 马/残 275 mA TNY266 70 马/残 350 马 TNY267 90 马/残 450 马 TNY268 110 马/残 550 马 TNY263 TNY264 2TNY267 TNY268 66 PI-2697年-033104 (规范化为 25 ° C) 电流限制 0.8 0.6 0.4 0。2 0 0 -500 50100150 1 2 3 4 温度 (° C) 规范化 di/dt 图 24。当前限制与温度。图 25。与 di/dt 的电流限制。 7 6 300 TCASE = 25 ° CTCASE = 100 ° CTNY263 0.85TNY264 1.0TNY265 1.5TNY266 2.0TNY267 3.5TNY268 5.5Scaling 因素： PI-2221年-032504 50 0 0 0 0.20.40.6 0.81.00 2 4 6 8 10 时间（毫秒）排水渠电压 (V) 图 26。旁路针启动波形。图 27。输出特性。 PI-2240年-012301 250 绕过针电压 (V) 漏极电流（马） 5 200 4 150 3 2 100 1 18 G 4/05

翻译结果（简体中文）3：

TNY263 - 268 指出: 一个。当前的消费总额数是1和ids当EN /紫外线大头针是做空地面(MOSFET不切换)并IS2 IDSS的总和,当EN /紫外线大头针是开放的(MOSFET开关)。 B自输出MOSFET是切换更多：https://www.bmcx.com/ ,很难隔离开关电流的电流流失。一种替代方法是测量绕过销电流6.1 v . C。旁路大头针还不能用于采购供应电流外部电路。 D。看到典型的性能特性一节对旁路销启动充电波形。 E。对于当前的限制其他di / dt值,见图25。 F。这个参数是源自表征。 G。这个参数是源自电流变化限制在1 . X和测量4 X的di / dt显示在ILIMIT 规范。H 。可能会检查击穿电压对最低BVDSS规范通过增加下水道管脚电压高达BVDSS但不得超过最低。我。双方在时间具有相同的温度特性作为振荡器(tofrequency成反比)。 16 G TNY263 - 。5 W S2 0。1μF470。窝/ UVBPSSSSS1。10 V50 V150 V2 M注意:这个测试电路不适用于当前的限制或输出特性的测量。圆周率 - 2686 -图18。TinySwitch-II通用测试电路。 π- 2364 - 012699 - EN / UVtPtEN / UVDCMAXtP 1 fOSCVDRAIN =(内部信号) 图19。TinySwitch-II责任周期测量。图20。TinySwitch-II输出使时机。 0。8 图21。电流限制信封。G 17 TNY263 - 典型性能特点1。1 π- - 2213输出频率 (规范化为25°C) 1。0 0。8 0。6 0。4 0。2 0π- - 2680 击穿电压(规范化到25°C) 1。0 0。9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 75 100 0 25 50 结温(°C)结温(°C) 图22。分解与。温度。图23。频率vs。温度。 1。2 1 PI - - 2714 1规范化电流限制。4 1。2 1。0 0。8 0。6 0。4 0。8 0。6 0。4 0。2 0 - 0 1 2 3 4 温度(°C)规范化di / dt 图24。当前的限制与。温度。图25。电流限制vs . di / dt。 6年7 TCASE = 25°CTCASE = TNY264°CTNY263 100 TNY265 TNY266 TNY267 TNY268扩展因素: π- - 0 0 50 0 0.20.40.6。00 2 4 6 8 10 时间(ms)流失电压(V) 图26。旁路销启动波形。如图27所示。输出特性。圆周率 - 2240 - 012301 旁路管脚电压(V) 漏极电流(mA) 5 3 4 2 G 1 18

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