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During power-down, when an e.. 翻译

原文（英语）：

During power-down, when an external resistor is used 更多：https://www.bmcx.com/ , the power MOSFET will switch for 50 ms after the output loses 0 regulation. The power MOSFET will then remain off without 400 any glitches since the under-voltage function prohibits restart when the line voltage is low. 300 Figure 12 illustrates a typical power-down timing waveform of 200 TinySwitch-II. Figure 13 illustrates a very slow power-down 100 timing waveform of TinySwitch-II as in standby applications. The external resistor (2 M.) is connected to the EN/UV pin 0 in this case to prevent unwanted restarts. 0.5 1 Time (s) Figure 12. Normal Power-down Timing (without UV). 200 100 V DC-INPUT V BYPASSV DRAIN PI-2383-030801 200 V DC-INPUTV DRAIN PI-2395-030801 0 100 10 0 400 0 300 400 200 100 0 0 0120 2.5 5 Time (ms) Time (s) Figure 10. TinySwitch-II Power-up with Optional External UVFigure 13. Slow Power-down Timing with Optional External Resistor (2 M.) Connected to EN/UV Pin. (2 M.) UV Resistor Connected to EN/UV Pin. 6 G 4/05 TNY263-268 PI-2706-080404500 mA RTND1 1N4005 C1 3.3 μF Fusible RF1 8.2 . C3 0.1 μF C7 10 μF 85-265 L1 2.2 mH D2 1N4005 D3 1N4005 D4 1N4005 R2 . U2 LTV817 D5 1N5819 Shield L23.3 μH C5 330 μF C2 3.3 μF C6 100 μF R7 100 . R4 1.2 . Q1 2N3904 R8 270 . VR1 BZX79- B3V9 U1 TNY264 C3 2.2 nF D6 1N4937 R6 1 . T1 R1 . 1 8 4 5 R3 22 . R9 47 . C8 680 pF Y1 Safety TinySwitch-IIDSBPEN/UV+ 5 V 400 V 10 V VAC 200 k16 V 400 V 35 V 1/2 W 3.9 V 1/2 W 1.2 k

翻译结果（简体中文）1：

在断电时，使用一个外部电阻器，功率MOSFET将输出后失去0 50毫秒切换调控。功率MOSFET将保持关闭不 400 以来的任何故障下电压的函数禁止重新启动线电压低时。 300 图12说明了200典型的断电时序波形的TinySwitch-II。图13显示了一个非常缓慢断电 100 的TinySwitch-II的时序波形更多：https://www.bmcx.com/ ，如在待机应用。连接到EN / UV引脚0的外部电阻（2米）。在这种情况下，以防止不必要的重新启动。 0.5 1 时间（S）图12。正常的断电时序（无UV）。 200 100 V 直流输入 V bypassv 漏 PI-2383-030801 200 V DC-inputv 漏 PI-2395-030801 0 100 10 0 400 0 300 400 200 100 0 0 0120 2.5 5 时间（ms）时间（s）图10。的TinySwitch-II电可选外部uvfigure 13。可选的外部缓慢断电时序与电阻（2米）。连接到EN / UV引脚。（2米。）UV电阻连接到EN / UV引脚。 6 G 4/05年度 tny263-268 PI-2706-080404500毫安 rtnd1 1n4005 C1 3.3μF 熔 RF1 8.2。 C3 0.1μF C7 10μF 85-265 L1 2.2 MH D2 1n4005 D3 1n4005 D4 1n4005 R2 。 U2 ltv817 D5 1N5819 盾 l23.3μH C5 330μF C2 3.3μF 5233 100μF R7 100。 R4 1.2。 Q1 2N3904 R8 270。 VR1 BZX79 b3v9 U1 tny264 C3 2.2 NF D6 1N4937 R6 1。 T1 R1 。 1 8 4 5 R3 22。 R9 47。 C8 680 PF Y1安全 tinyswitch-iidsbpen/uv 5 V 400 V 10 V VAC 200 K16至五 400 V 35 V 1/2 W 3.9 V 1/2 W 1.2 K

翻译结果（简体中文）2：

在电源关闭，当用于外部电阻器，功率 MOSFET 将切换为 50 毫秒后输出失去 0 更多：https://www.bmcx.com/ , 规管。电源 MOSFET 将关闭然后仍然没有 400 由于欠压功能禁止重新启动任何差错线路电压时低。 300 图 12 所示的典型电源关闭时间波形的 200 TinySwitch II。图 13 显示了非常慢的电源关闭 100 计时波形的 TinySwitch II 如备用应用程序。的外部电阻器 (2 M.）连接到 EN/UV pin 0 在此情况下，以防止不必要的重新启动。0.5 1 时间 (s) 图 12。（无 UV）的正常电源关闭时间。 200 100 V 直流输入 V BYPASSV 耗尽 PI-2383 4339年-030801 200 V 直流 INPUTV 耗尽 PI-2395年-030801 0 100 10 0 400 0 300 400 200 100 0 0 0120 2.5 5 时间（毫秒）时间 (s) 图 10。TinySwitch-II 通电的可选外部 UVFigure 13。慢可选外部电源关闭时间电阻 (2 米)。连接到 EN/UV Pin。（高 2 米。）连接到 EN/UV 针紫外线电阻。 6 G 4/05 TNY263 268 PI-2706年-080404500 马 RTND1 1N4005 C1 3.3 μF 易熔 RF1 8.2。 C3 0.1 μF C7 10 μF 85-265 L1 2.2 mH D2 1N4005 D3 1N4005 D4 1N4005 R2 。 U2 LTV817 D5 1N5819 盾 L23.3 μH C5 330 μF C2 3.3 μF C6 100 μF R7 100。 R4 1.2。 Q1 2N3904 R8 270。 VR1 BZX79- B3V9 U1 TNY264 C3 2.2 nF D6 1N4937 R6 1。 T1 R1 。 1 8 4 5 R3 22。 R9 47。 C8 680 pF Y1 安全紫外/TinySwitch-IIDSBPEN 5 V 400 V 10 V VAC 200 k16 V 400 V 35 V 1/2 W 3.9 V 1/2 W 1.2 k

翻译结果（简体中文）3：

在省电,当外部的电阻是使用更多：https://www.bmcx.com/ , 功率MOSFET开关50毫秒后将输出失去0 监管。功率MOSFET的将一直关闭没有任何故障自年禁止重启使手机函数当电压很低。300年图12展示了一个典型的省电 TinySwitch-II时机波形。图13展示了一个非常缓慢的省电TinySwitch-II的时机波形在备用应用程序。外部电阻(2米。)是连接到EN /紫外线销0 在这种情况下,以防止产生不必要的重新启动。0.5 - 1 时间(s)图12。正常的省电时间(没有紫外线)。200年 V DC-INPUT V BYPASSV流失π- - V DC-INPUTV下水道 π- - 0 0 10 0 2395 100年 0 0 2。5 5 时间(毫秒)的时间(s) 图10。TinySwitch-II与可选的外部力量UVFigure 13。缓慢的省电时间和可选的外部电阻(2 m .)连接到EN /紫外线别针。(2米。 - B3V9 VR1 BZX79 TNY264 U1 C3 2。2 D6 1 nF 1 N4937 R6。R1 T1。 1 8 4 5 R3 22。 R9 47。pF C8 680日元的安全TinySwitch-IIDSBPEN )、UV 5 V V 10 V VAC k16 V 伏35 V半W 3。W 9 V半1。2 K

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